Анонс процессора Snapdragon 835 — нового флагмана Qualcomm

0
1433
Анонс процессора Snapdragon 835 - нового флагмана Qualcomm

Как и ожидалось, на выставке CES 2017 компания Qualcomm представила чипсет Snapdragon 835, который производится по 10-нанометровому техпроцессу FinFET второго поколения. Производитель заявляет о возросшей на 20% производительности по сравнению с предшественником.

Snapdragon 835 имеет восемь вычислительных ядер, которые разбиты на кластера: первый из четырёх ядер с частотой 2,45 ГГц и 2 Мб кэшем и вторым кластером из четырёх энергоэффективных ядер с частотой 1,8 ГГц и кэш-памятью объемом 1 Мб. Qualcomm рассказала, что 80% всей нагрузки будет выполнять именно энергоэффективные ядра. Оба кластера имеют фирменные ядра Kryo 280 на основе ARM Cortex. Производитель уверяет, что новинка покажет не только высокую производительность, но и меньший уровень энергопотребления.

Snapdragon 835 создан для устройств высокого класса, в том числе смартфонов, дисплеев виртуальной и дополненной реальности, IP-камер, планшетов, мобильных ПК и других девайсов на основе различных операционных систем, включая Android и Windows 10 с поддержкой приложений Win32.

Анонс процессора Snapdragon 835 - нового флагмана Qualcomm
Архитектура процессора Qualcomm Snapdragon 835

Однокристальная система Snapdragon 835 получила свежий графический ускоритель Adreno 540 с поддержкой DirectX 12, HDR10 и Ultra HD, производительность которого выросла на 25%. Кроме того, новый чип включает в себя LTE модем Snapdragon X16 и беспроводные модули Bluetooth 5.0, Wi-Fi 802.11ad, 2×2 802.11ac Wave-2.

Характеристики процессора Qualcomm Snapdragon 835

  • центральный процессор Kryo 280 с четырьмя ядрами производительности с частотой до 2,45 ГГц и четырьмя ядрами эффективности работающих до 1,9 ГГц;
  • интегрированный LTE-модем Snapdragon X16 с поддержкой LTE Cat.16 со скоростью до 1 Гбит/с, а также LTE Cat.13 со скоростью до 150 Мбит/с;
  • интегрированный 2х2 11ac MU-MIMO с уменьшенным до 50% размером и со сниженным энергопотреблением Wi-Fi;
  • мультигигабитный Wi-Fi стандарта 802.11ad, обеспечивающий пиковую скорость до 4,6 Гбит/с;
  • первая в мире сертифицированная коммерческая технология Bluetooth 5, обеспечивающая скорость до 2 Мбит/с и набор функций, которые позволяют новые различные варианты использования (Bluetooth, FM-радио, Wi-Fi и RF реализовываются с помощью WCN3990);
  • Adreno 540 GPU с поддержкой OpenGL ES 3.2, полной платформы OpenCL 2.0, Vulkan и DX12;
  • Hexagon 682 DSP с HVX;
  • технология Qualcomm All-Ways Aware с поддержкой Google Awareness API;
  • двухканальная оперативная память LP DDR4x с частотой 1866 МГц;
  • Qualcomm Location с поддержкой GPS, ГЛОНАСС, BeiDou, Galileo и системы QZSS, что в сочетании с возможностью подключения к LTE/Wi-Fi/ Bluetooth обеспечит «постоянной локацией» и контекстной доступностью;
  • 32-мегапиксельная или двойная 16-мегапиксельная камеры с процессором Qualcomm Spectra 180, двойные 14-битные процессоры, гибридный автофокус, (лазер/контраст/структурированный свет/двухфазное обнаружение AF), Qualcomm Clear Sight, оптический зум, аппаратное ускорение технологии распознавания лиц и HDR-видеозапись;
  • 4K Ultra HD видеозахват с частотой 30 кадров в секунду, Ultra HD видео до 4K с частотой 60 кадров в секунду, поддержка H.264 (AVC) и H.265 (HEVC);
  • максимальная поддержка самого устройства и внешнего дисплея, включая Ultra HD Premium, 4K до 60 кадров в секунду, поддержка широкой цветовой гаммы, 10-битная глубина цвета;
  • технология быстрой зарядки Quick Charge 4;
  • Qualcomm Aqstic WCD9341 аудио-кодек в сочетании с Snapdragon 835 поддерживает аудиофилы класса DAC с поддержкой 32-бит/ 384 кГц с SNR 115dB и ультра-низким -105 дБ THD+N и нативным DSD Hi-Fi воспроизведением аудио;
  • Qualcomm APTX и APTX HD Bluetooth аудио с улучшенной в два раза мощностью для беспроводной связи;
  • производится по 10-нм технологическому процессу FinFET.

В настоящее время Snapdragon 835 находится в стадии производства, а первые устройства на его основе ожидаются в первой половине 2017 года.